Площадь пятна обжига

Сликерс и Вопре для квантометрического анализа сталей использовали комбинированный искровой разряд среднего напряжения.

Особенностью этого варианта являлось то, что предварительное обыскривание производилось при весьма жестких искровых разрядах (50мкФ; ЗОм; 50мкГ; 800 В) по сравнению с разрядами при интегрировании (10 мкФ; 6 Ом; 50 мкГ; 800 В). Вместе с использованием очень чистого аргона это позволило существенно повысить воспроизводимость и точность анализа автоматных и низколегированных сталей при сокращении его продолжительности.
Явление обыскривания (обжига) заключается в том, что в продолжении некоторого времени с момента начала воздействия электрического разряда на электроды происходит изменение интенсивности линий спектра пробы. Кривые, выражающие зависимость абсолютной или относительной интенсивности линий примеси от времени воздействия разряда, носят название кривых обыскривания (обжига). Изучению этого явления посвящены работы А. Р. Стриганова, Кайзера, С. Л. Мандельштама, С. М. Райского, Л. Н. Филимонова и др.

Качественные материалы делают результат работы предприятия надежным и долговечным. Лучшие теплоизоляционные материалы в Тюмени можно приобрести у опытных поставщиков.

Обычно количественные спектральные определения производят после того, как значение интенсивности линий становится постоянным. Промежуток времени с момента включения разряда до момента, когда интенсивность линий перестает изменяться, варьирует в широких пределах и зависит от многих факторов. В практике спектрального анализа обычно время это не превышает 1-2 мин, но в некоторых случаях может быть более длительным. Иногда при искровых режимах, используемых в вакуумных квантометрах, время обыскривания сокращается от 7-10 с за счет повышенной мощности разрядов.

comments powered by HyperComments