На этой схеме разделяются три характеристические глубины электронов: 1) z- глубина полного рассеяния, где распределение электронов становится изотропным; 2) z- глубина полного проникновения, при которой электроны теряют всю свою энергию и находятся в состоянии покоя (Е0 = 0); 2) гт- глубина, при которой энергии электронов еще недостаточно, чтобы возбудить анализируемое характеристическое излучение (Е0 = Ее); Ф (pz) — распределение по глубине возбуждаемых рентгеновских лучей.
На схеме видно, что область нахождения электронов в мишени с малым атомным номером имеет форму капли, а с большим — полусферы. С увеличением энергии падающих электронов все три характеристические глубины увеличиваются и форма области распределения электронов становится все более похожей на каплю. При этом основной интерес представляет область, ограниченная контуром Е0 = Еа, в пределах которой возможна ионизация электронов соответствующей оболочки с возникновением характеристического рентгеновского излучения. Для полного описания процесса взаимодействия необходимо еще знать распределение электронов по энергиям и количество электронов, участвующих в ионизации как по глубине образца, так и в плоскостях, перпендикулярных оси, законы торможения и рассеяния электронов.
Качественные материалы позволяют производить надежные изделия. Например, сегодня продажа металлических дверей поможет найти двери высокой надежности по доступным ценам.
Краткий анализ приведенных соотношений указывает на то, что для проведения точного анализа необходимо располагать рядом численных параметров, для получения которых необходимы соответствующие исследования особенностей взаимодействия электронов с большинством элементов периодической системы. Поэтому в последние годы появилось большое число работ, посвященных изучению влияния различных факторов на точность анализа металлов и сплавов при использовании микрорентгеноспектрального, рентгенофлуоресцентного и рентгеноспектрального методов.
Учитывая сложность соответствующих вычислений, в некоторых работах рассматривается возможность использования для расчета электронно-вычислительных машин.